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正社員

ルネサス エレクトロニクス株式会社【合同募集】

アナログ半導体開発エンジニア【グローバルに展開する半導体専業メーカー】

エンジンからモーターへ。 世界の自動車がDXされる未来を創る 半導体を生み出すエンジニアに

ルネサス エレクトロニクス株式会社【合同募集】 転職
  • 未経験歓迎
  • 学歴不問
  • 第二新卒OK
  • ベテランOK
  • 複数名採用
  • 完全週休2日
  • 休日120日
  • 賞与複数月
  • 上場企業
  • 転勤なし
  • 土日面接可
  • 面接1回
応募資格 ■高専卒以上 ■下記いずれかの経験をお持ちの方(2年以上目安) ・RF製品関連の業務経験 ・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ・IGBTのデバイス構造設計やプロセス開発経験 ・Field Stop 型IGBTのウェハプロセス、デバイス動作、信頼性等に関する専門知識 【下記経験をお持ちの方は即戦力としてご活躍いただけます】 □RF製品回路またはレイアウト設計経験 (LNA, Mixer, Power amplifier, PLL, etc) □RF製品のテスティング経験 □RF PCB設計、特性評価経験 □RF製品開発のリーダー経験 □半導体開発、又はテスト開発経験 □パワーデバイスの基礎知識 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります
給与 学部卒:月給215,500円 修士了:月給239,500円 専士了:月給269,600円 ※あくまで新卒初任給です(2020年度実績)。  経験や能力を考慮の上、決定します。
勤務地 ■高崎工場 群馬県高崎市西横手町111 ■那珂工場 茨城県ひたちなか市堀口751 ■武蔵事業所 東京都小平市上水本町5-20-1 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります