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勤務地 <全国募集> 研修終了後の勤務地は、担当者と面談の上、希望の勤務地域、能力、適性、評価により決定します。 【勤務地】 ●北海道・東北(青森、秋田、岩手、山形、宮城、福島) ●関東(東京、神奈川、千葉、埼玉、茨城、群馬、栃木) ●北陸甲信越(石川、富山、福井、新潟、長野、山梨) ●東海(愛知、岐阜、三重、静岡) ●関西(大阪、京都、兵庫、奈良、滋賀、和歌山) ●中国(広島、岡山、鳥取、島根、山口) ●四国(愛媛、香川、高知、徳島) ●九州(福岡、佐賀、長崎、大分、宮崎、熊本、鹿児島)
目安残業時間 30時間以内
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ルネサス エレクトロニクス株式会社【合同募集】

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  • 転勤なし
  • 土日面接可
  • 面接1回
応募資格 ■高専卒以上 ■下記いずれかの経験をお持ちの方(2年以上目安) ・RF製品関連の業務経験 ・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ・IGBTのデバイス構造設計やプロセス開発経験 ・Field Stop 型IGBTのウェハプロセス、デバイス動作、信頼性等に関する専門知識 【下記経験をお持ちの方は即戦力としてご活躍いただけます】 □RF製品回路またはレイアウト設計経験 (LNA, Mixer, Power amplifier, PLL, etc) □RF製品のテスティング経験 □RF PCB設計、特性評価経験 □RF製品開発のリーダー経験 □半導体開発、又はテスト開発経験 □パワーデバイスの基礎知識 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります
給与 学部卒:月給215,500円 修士了:月給239,500円 専士了:月給269,600円 ※あくまで新卒初任給です(2020年度実績)。  経験や能力を考慮の上、決定します。
勤務地 ■高崎工場 群馬県高崎市西横手町111 ■那珂工場 茨城県ひたちなか市堀口751 ■武蔵事業所 東京都小平市上水本町5-20-1 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります

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