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株式会社ワールドインテック テクノ事業部【東証プライム上場グループ】

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給与 ★未経験から年収400万円〜も目指せます! 月給18万7000円以上+残業代全額支給+賞与年2.85ヵ月分(2021年度実績)+各種手当 ≪下記別途支給≫ 地域手当:最大2万円 住宅補助:最大5.6万円 引越補助等:全額支給(規定あり) 帰省費用:年2回(金額上限なし) 退職金:最大725万円(※勤続年数3年以上が対象) ※これまでの経験・スキルを考慮し決定します ※みなし残業なし/超過分全額支給 ※試用期間3ヶ月間(待遇面差異なし) <年収例> 410万円/25歳(経験2年) 560万円/35歳(経験5年) 860万円/48歳(経験12年)
勤務地 <居住地や希望勤務地を考慮/U・Iターン歓迎> 全国の有名・大手企業などの各プロジェクト先での勤務になります ■東京、大宮、八王子、横浜、厚木、名古屋、大阪、宇都宮、静岡、 福岡、熊本、長崎、金沢、滋賀、神戸、姫路、広島、仙台、福島、 四日市、太田、高崎、日立、大分、佐賀、三河、富山 他全国
目安残業時間 20時間以内
終了間近
正社員

ルネサス エレクトロニクス株式会社【合同募集】

エンジンからモーターへ。 世界の自動車がDXされる未来を創る 半導体を生み出すエンジニアに

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  • 完全週休2日
  • 休日120日
  • 賞与複数月
  • 上場企業
  • 転勤なし
  • 土日面接可
  • 面接1回
応募資格 ■高専卒以上 ■下記いずれかの経験をお持ちの方(2年以上目安) ・RF製品関連の業務経験 ・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 ・IGBTのデバイス構造設計やプロセス開発経験 ・Field Stop 型IGBTのウェハプロセス、デバイス動作、信頼性等に関する専門知識 【下記経験をお持ちの方は即戦力としてご活躍いただけます】 □RF製品回路またはレイアウト設計経験 (LNA, Mixer, Power amplifier, PLL, etc) □RF製品のテスティング経験 □RF PCB設計、特性評価経験 □RF製品開発のリーダー経験 □半導体開発、又はテスト開発経験 □パワーデバイスの基礎知識 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります
給与 学部卒:月給215,500円 修士了:月給239,500円 専士了:月給269,600円 ※あくまで新卒初任給です(2020年度実績)。  経験や能力を考慮の上、決定します。
勤務地 ■高崎工場 群馬県高崎市西横手町111 ■那珂工場 茨城県ひたちなか市堀口751 ■武蔵事業所 東京都小平市上水本町5-20-1 ※【ルネサス エレクトロニクス株式会社】での雇用となります

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